Норматив

используйте наш сборник стандартов для своих нужд

Выполняется просмотр описания - ГОСТ 20859.1-89

Загрузка данных
Просмотр содержимого документа

Характеристика Значение
Номер ГОСТ ГОСТ 20859.1-89
Наименование Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Наименование на англ. яз. Power semiconductor devices. General technical requirements
Статус ГОСТ действующий
Дата актуализ. текста 15.04.2009
Дата актуализ. описания 01.05.2009
Дата введения 01.01.1990
Область применения Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. <br> Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: <br> 1) в средах с токопроводящей пылью; <br> 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; <br> 3) во взрывоопасной среде; <br> 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
Документы взамен текущего ГОСТ 20859.1-79
Заменяет в части ГОСТ 30617-98 в части модулей